微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法
  ‧ 專利名稱 微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I381536
US 8,258,396 B2
US 8,486,749 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/08/29)
美國 (2008/12/19)
美國 (2011/11/14)
  ‧ 發明人 林清富, 趙俊傑, 許書嘉,
 
技術摘要:
一種微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法,係將奈米線、奈米柱、微米結構或次微米結構之PN二極體陣列從主材料晶圓上移植下來,而後轉移至兩片相對應兩極之透明基板間,運用面為製作薄膜型太陽能電池,具有良好的晶體半導體優點,同時半導體基板可再次使用,節省大量的半導體材料。此外,還可容易堆疊不同半導體之此類薄膜太陽能電池,使太陽光譜之吸收得到最佳應用。

The present invention discloses a micro/nanostructure PN junction diode array thin-film solar cell and a method for fabricating the same, wherein a microstructure or sub-microstructure PN junction diode array, such as a nanowire array or a nanocolumns array, is transferred from a source-material wafer to two pieces of transparent substrates, which are respectively corresponding to two electric conduction types, to fabricate a thin-film solar cell. In the present invention, the micro/nanostructure PN junction diode array has advantages of a fine-quality crystalline semiconductor, and the semiconductor substrate can be reused to save a lot of semiconductor material. Besides, the present invention can make the best of sunlight energy via stacking up the solar cells made of different types of semiconductor materials to absorb different wavebands of the sunlight spectrum.



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