技術摘要: |
本發明實施例提供一種矽奈米結構與其製造方法,其藉由金屬輔助化學蝕刻製備矽奈米結構。所製備的矽奈米結構的根部,亦即與矽基板連接處,具有側向蝕刻與多孔洞結構。藉此,可利用連接處結構脆弱的特徵,以物理方式轉移矽奈米結構至異質基板上。
The present invention provides silicon nanostructures and their producing method. By employing a metal-assisted chemical etching method, the bottom of the produced silicon nanostructures, connected to the silicon substrate, is porous and side etched, such that the silicon nanostructures can be easily transferred to a hetero-substrate by a physical manner.
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