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Area engineering of the negative capacitance field effect transistor

刊登日期：2018/06/29

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	108231873B I717528B 10686072B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2017/03/02) 中華民國 (2017/06/22) 中國 (2017/06/26)
‧ 發明人	劉致為,

技術摘要：

一種半導體裝置係包含源極與汲極、設置於源極與汲極之間的通道、設置在通道上的第一閘極介電層、設置在第一閘極介電層上的第一閘極電極、設置在第一閘極電極上的第二閘極介電層，以及設置在第二閘極介電層上的第二閘極電極。第二閘極介電層是由鐵電材料所製成。第一閘極電極之底表面的第一面積係大於第二閘極介電層之底表面的第二面積，其中第一閘極電極之底表面係與第一閘極介電層接觸，而第二閘極介電層之底表面係與第一閘極電極接觸。

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