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ransition metal dichalcogenide hetero-structures fabricated by using metal deposition and following sulfurization for device applications

刊登日期：2018/02/20

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	10164122B2 10505052B2 9899537B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2016/05/31) 美國 (2018/01/31) 美國 (2018/12/19)
‧ 發明人	林時彥,

技術摘要：

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

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