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ransition metal dichalcogenide hetero-structures fabricated by using metal deposition and following sulfurization for device applications |
刊登日期:2018/02/20 |
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‧ 專利名稱 |
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‧ 專利證書號 |
10164122B2 10505052B2 9899537B2
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2016/05/31) 美國 (2018/01/31) 美國 (2018/12/19)
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‧ 發明人 |
林時彥, |
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技術摘要: |
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聯繫方式 |
聯絡人:
研發處產學合作總中心 |
電話:
(02)3366-9949 |
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地 址:
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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