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Fermi level tuning of graphene transistor by using in-plane gates

刊登日期：2016/12/20

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	106206680B 9853105B2 10269902B2 9525072B2 11,171,212 10-1716938B1
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2014/08/11) 韓國 (2014/12/23) 中國 (2015/05/14) 美國 (2016/12/15) 美國 (2017/12/22) 美國 (2019/04/22)
‧ 發明人	林孟佑, 林时彦, 李嗣涔,

技術摘要：

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