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 資料儲存裝置及其儲存方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
資料儲存裝置及其儲存方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I435322
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/05/14)
中國 (2008/06/16)
美國 (2008/08/26)
香港 (2010/06/22)
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| ‧ 發明人/PI |
孫安正,許仁華,張慶瑞,
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| ‧ 單位 |
物理學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係提出一種資料儲存胞元，其包括一第一電極，一電壓施加於該第一電極以在其鄰近處形成一電場；及一結合物，其排列於該第一電極上，該結合物包括一液晶分子及一具有極性的磁性物質，藉此在該結合物的鄰近處形成一磁場，其中該結合物的排列對應於該電場的變動，藉此該磁場對應於該電場的變動。
A memory cell is provided in the present invention. The memory cell includes a first electrode receiving a first voltage to form an electric field therearound; and a combination arranged on the first electrode, comprising a liquid crystal molecule coupled with a magnetic substance for forming a magnetic field therearound, wherein the magnetic field changing with the first electric field.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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