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A gate structure for fabricating hyeteresis free negative capacitance field effect transistors
 刊登日期：2017/06/13
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 106158934B
9679893B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2015/05/15)
中國 (2015/11/27)
 
  ‧ 發明人/PI 顏智洋,劉致為,賴德全,丁媛文,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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