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 Method of field-free writing of perpendicular magnetic tunnel junction induced by voltage-controlled assisted spin-orbit-torque
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刊登日期：2023/03/14 |
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| ‧ 專利名稱 |
Method of field-free writing of perpendicular magnetic tunnel junction induced by voltage-controlled assisted spin-orbit-torque |
| ‧ 專利證書號 |
11605670
12,160,998
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2019/05/01)
中華民國 (2019/10/16)
中國 (2019/10/22)
美國 (2022/07/21)
美國 (2024/10/30)
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| ‧ 發明人/PI |
羅宗祐,鄒亞叡,董宜承,劉致為,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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