包含高折射率與低折射率導體互相穿插的奈米複合電極及其有機發光元件之應用
刊登日期:2017/05/02
  ‧ 專利名稱 電激發光裝置
  ‧ 專利證書號 106211489B
I605618
9640777
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2016/05/24)
中國 (2016/05/27)
中華民國 (2016/05/27)
 
  ‧ 發明人/PI 吳忠幟,陳建宇,李偉愷,林晃巖,陳奕均
  ‧ 單位 電機工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種電激發光裝置,其包括一合成電極,其由表面具有奈米結構的第一層及位於奈米結構上的第二層所組成,其中第一層及第二層是透明導電的,且第一層及第二層之其一者的折射率小於或等於1.65,第一層及第二層之另一者的折射率大於或等於1.75;複數個功能層具有一發光層,位於第二層上;以及,一上電極,位於複數個功能層上。特別地是,奈米結構上每一個凹坑及凹坑之間的間距都是小於或等於發光層所發出光的一主波長。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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