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Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
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刊登日期:2021/12/14 |
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‧ 專利名稱 |
Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing |
‧ 專利證書號 |
11201055
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 () 中國 (2017/06/01) 美國 (2017/09/15)
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‧ 發明人/PI |
洪銘輝
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‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
一種形成具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法,包括:交替地生長一第一層和一第二層在一基板上,其中,上述第一層與上述第二層的組成不同,且上述第一層及上述第二層為複數個;以及將上述第一層和上述第二層退火,形成一具有鈣鈦礦單晶結構的材料。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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