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可撓導電結構與可撓電子裝置
 刊登日期：2018/11/21
  ‧ 專利名稱 可撓導電結構與可撓電子裝置
  ‧ 專利證書號 I641483
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2017/11/08)
中華民國 (2017/12/22)
 
  ‧ 發明人/PI 陳文章,石健忠,李文亞,黃承鈞,張光偉
  ‧ 單位 合設奈米中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：
本發明提供之可撓導電結構，包括：聚呋喃二酸乙二酯層；以及導電層，位於聚呋喃二酸乙二酯層上，其中導電層包括交錯的多個金屬奈米線，且金屬奈米線的分佈密度介於0.1mg/cm2至5mg/cm2之間。上述可撓導電結構可用於可撓電子裝置。
專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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