從化學氣相沉積在堆疊基底上合成過度金屬硫化物薄膜的方法
刊登日期:2021/08/11
  ‧ 專利名稱 生成過渡金屬硫化物的方法
  ‧ 專利證書號 I736389
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2020/08/06)
 
  ‧ 發明人/PI 謝馬利歐,謝雅萍,邱聖貴,劉重佑,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本揭示內容中的一些實施方式中提供生成過渡金屬硫化物的方法,包含以下步驟:提供第一石墨層;形成過渡金屬氧化層於第一石墨層之第一表面上,獲得第二石墨層;提供第一基材;將鹼金屬鹵化物溶液塗佈於第一基材之第二表面上,獲得第二基材;第二石墨層及第二基材共同形成子疊層,其中子疊層中的第二石墨層以及第二基材之間相對且相隔特定距離;提供複數個子疊層;將各子疊層的第二基材疊置於另一子疊層中的第二石墨層上,形成疊層;將含硫氣體通入疊層中,獲得過渡金屬硫化物薄膜。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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