Multi-level memory by MIS tunnel diode coupled with edge-etched high-K gate dielectric
刊登日期:2021/12/07
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 11574908B2
11195835
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2019/12/26)
美國 (2021/12/03)
美國 (2023/02/02)
 
  ‧ 發明人/PI 胡振國
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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