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嵌入式蕭基超接面元件結構與製造方式
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刊登日期:2022/11/16 |
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‧ 專利名稱 |
嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體 |
‧ 專利證書號 |
I817120
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2021/05/14)
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‧ 發明人/PI |
李坤彥,賴云凱,鄒振東,李羿軒,吳瑞祺,
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‧ 單位 |
工程科學及海洋工程學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
一種嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體,包含半導體基板,及多個相鄰地設置在半導體基板上的電晶體單元。每一個該電晶體單元包括本體、閘極、源極、摻雜區,及金屬單元。本體包括第一柱狀部、二分別位在第一柱狀部兩側的第二柱狀部,及一頂面。閘極設置在頂面。源極位在本體內且鄰近閘極一側,並包括由第一柱狀部往相鄰的第二柱狀部延伸的井區。摻雜區位在第一柱狀部內,且與源極間隔地位在閘極另一側,而讓第一柱狀部的部分表面露出,其中,摻雜區結構不同於源極,且其半導體特性不同於第一柱狀部。金屬單元覆蓋閘極與源極,並與第一柱狀部露出的部分表面直接接觸,從而形成蕭特基接觸。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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