A method of increasing the B concentration in epi-GeSn layer by solid phase doping
刊登日期:2019/06/11
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 10777663B2
11374115
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2018/10/02)
中華民國 (2018/11/20)
中國 (2018/11/21)
美國 (2020/09/11)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,蔡仲恩,呂芳諒,陳品翔,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一方法包括在基板上方形成鰭結構;形成鄰接鰭結構之源極/汲極結構,其中源極/汲極結構包括錫,及使源極/汲極結構曝露於含硼氣體以將硼擴散至源極/汲極結構內,以在源極/汲極結構內形成摻雜區域。 A method includes forming a fin structure over a substrate; forming a source/drain structure adjoining the fin structure, in which the source/drain structure includes tin; and exposing the source/drain structure to a boron-containing gas to diffuse boron into the source/drain structure to form a doped region in the source/drain structure.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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