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A method of increasing the B concentration in epi-GeSn layer by solid phase doping
 刊登日期：2020/09/15
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 10777663B2
11374115
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2018/10/02)
中華民國 (2018/11/20)
中國 (2018/11/21)
美國 (2020/09/11)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,蔡仲恩,呂芳諒,陳品翔,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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