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 A method of increasing the B concentration in epi-GeSn layer by solid phase doping
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刊登日期：2019/06/11 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
10777663B2
11374115
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/10/02)
中華民國 (2018/11/20)
中國 (2018/11/21)
美國 (2020/09/11)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,蔡仲恩,呂芳諒,陳品翔,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一方法包括在基板上方形成鰭結構；形成鄰接鰭結構之源極/汲極結構，其中源極/汲極結構包括錫，及使源極/汲極結構曝露於含硼氣體以將硼擴散至源極/汲極結構內，以在源極/汲極結構內形成摻雜區域。
A method includes forming a fin structure over a substrate; forming a source/drain structure adjoining the fin structure, in which the source/drain structure includes tin; and exposing the source/drain structure to a boron-containing gas to diffuse boron into the source/drain structure to form a doped region in the source/drain structure.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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