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 金氧半穿隧二極體溫度感應器及其製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
金氧半穿隧二極體溫度感應器及其製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
177352
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2001/10/31)
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| ‧ 發明人/PI |
胡振國,施彥豪,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供一種可整合於晶片內之金氧半穿隧二極體溫度感應器及其製造方法。本發明之金氧半穿隧二極體溫度感應器乃是採用與CMOS製程相容的製程，因此其可與 MOS元件一起形成而整合於一積體電路晶片中。利用金氧半結構穿隧二極體具有的二極體特性，對金氧半結構穿隧二極體施加一固定的逆向偏壓下，計算出閘極電流對基板溫度的指數關係式。經由量測出的閘極電流值，便可求出目前的基板溫度，其代表目前的積體電路晶片溫度。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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