有機薄膜電晶體及其製造方法
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 台大/工研院
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/12/28)
  ‧ 發明人 蔡豐羽, 傅榆, 胡堂祥, 張智浩,
 
技術摘要:
一種有機薄膜電晶體及其製造方法。該方法包括以下步驟:在一容器中,提供一基板,其一面上方形成有一第一圖案化電極;於該基板上,形成一介電層,以覆蓋該第一圖案化電極;於該介電層上,形成一對第二圖案化電極,並在該對第二圖案化電極之間保留一縫隙,該縫隙對應該第一圖案化電極;形成一有機半導體層,其填滿並覆蓋該縫隙;以及提供一高於75%飽和蒸氣壓之氣化溶劑,使該有機半導體層呈現膨潤態且具有流動性,能進行再流動(reflow),並使大部分之有機半導體分子離開該縫隙,留下有機半導體層於該縫隙中。
An organic thin-film transistor and method for manufacturing the same. The method comprises steps of: providing a substrate in a container and forming a first patterned electrode on one side of the substrate; forming a dielectric layer on the substrate to cover the first patterned electrode; forming a pair of second electrodes on the dielectric layer, wherein a gap corresponding to the first patterned electrode is formed between the pair of second electrodes; forming an organic semiconductor layer to fill and cover the gap; and providing an over 75% saturated vaporized solvent so that the organic semiconductor layer swells with flowability to reflow.



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