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磁場感測裝置及方法

刊登日期：2015/04/01

‧ 專利名稱	磁場感測裝置及方法
‧ 專利證書號	CN104678329B I479171 US9625537 B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2013/11/29) 中國 (2014/10/14) 美國 (2014/11/29)
‧ 發明人	張慶瑞, 張瑞航,

技術摘要：

本發明提供一種磁場感測裝置及方法，該磁場感測裝置包含：一固定層，具有一第一磁化方向；一分析層，具有一第二磁化方向，其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度；以及一磁性感測層，在該分析層與該固定層之間，該磁場感測方法包含：提供具有一第一磁化方向的一固定層；提供具有一第二磁化方向的一分析層，其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度；以及在該分析層與該固定層之間提供一磁性感測層。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室

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