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利用超晶格位障提升在磁性穿隧接面穿隧磁阻之方法

刊登日期：2015/07/30

‧ 專利名稱	具超晶格勢壘之磁穿隧接面及包含具超晶格勢壘磁穿隧接面之裝置
‧ 專利證書號	I569484 US9437655B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2014/01/24) 中華民國 (2014/04/16) PCT (2014/08/15) 美國 (2014/08/15)
‧ 發明人	薛文証, 陳長鴻,

技術摘要：

本發明提供一種可提高穿隧磁阻率之磁穿隧接面及包含該磁穿隧接面之裝置。該磁穿隧接面包含：一固定層；一自由層；以及一超晶格勢壘，配置於該固定層及該自由層之間。該磁穿隧接面可能為前述基本形式之串接與並接。該包含磁穿隧接面之裝置可能為一種磁性隨機存取記憶體位元格、一種磁穿隧接面電晶體元件、一種磁場感測器等。

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