可電式讀取、可光式讀取的發光記憶體 刊登日期:2016/06/01
  ‧ 專利名稱 無機發光記憶體及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I589041
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2014/11/27)
美國 (2015/04/06)
  ‧ 發明人 陳永芳, 賴盈至, 劉怡柔, 張哲瑋,
 
技術摘要:




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