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半導體元件及其製作方法

刊登日期：2016/07/01

‧ 專利名稱	半導體元件及其製作方法
‧ 專利證書號	I540703 9425176
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2014/12/31) 美國 (2014/12/31)
‧ 發明人	黃建璋, 蘇亮宇, 王致皓,

技術摘要：

一種半導體元件包括一基板、一圖案化導電層、一第一電晶體結構以及一第二電晶體結構。圖案化導電層形成於基板上。第一電晶體結構具有一第一源極、一第一閘極及一第一汲極。第一電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。第二電晶體結構具有一第二源極、一第二閘極及一第二汲極。第二電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。其中第一閘極經由圖案化導電層電性連接至第二源極，第一源極經由圖案化導電層電性連接至第二汲極。

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