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可撓導電結構與可撓電子裝置
刊登日期:2018/11/21
‧ 專利名稱
可撓導電結構與可撓電子裝置
‧ 專利證書號
I641483
‧ 專利權人
國立臺灣大學
‧ 專利國家
(申請日)
美國 (2017/11/08)
中華民國 (2017/12/22)
‧ 發明人
陳文章
, 石健忠, 李文亞, 黃承鈞, 張光偉,
技術摘要:
本發明提供之可撓導電結構,包括:聚呋喃二酸乙二酯層;以及導電層,位於聚呋喃二酸乙二酯層上,其中導電層包括交錯的多個金屬奈米線,且金屬奈米線的分佈密度介於0.1mg/cm2至5mg/cm2之間。上述可撓導電結構可用於可撓電子裝置。
聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心
電話: (02)3366-9949
地 址: 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室