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鍺奈米片的結構和製程(Structure and Fabrication of Ge nanosheet for devices beyond 7 nm node)

刊登日期：2021/05/01

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	CN110660841B I726338 US11239074B2 US11031239B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2019/05/09) 中華民國 (2019/06/21) 中國 (2019/06/25) 美國 (2019/10/10)
‧ 發明人	鄭鴻祥,

技術摘要：

本文描述了包含鍺奈米層片的元件。本文亦描述了用於形成此類鍺奈米層片的方法和包括此類鍺奈米層片的元件。

聯繫方式

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