國立臺灣大學-技術交易網

從化學氣相沉積在堆疊基底上合成過度金屬硫化物薄膜的方法

刊登日期：2021/08/11

‧ 專利名稱	生成過渡金屬硫化物的方法
‧ 專利證書號	I736389
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2020/08/06)
‧ 發明人	謝馬利歐, 謝雅萍, 邱聖貴, 劉重佑,

技術摘要：

本揭示內容中的一些實施方式中提供生成過渡金屬硫化物的方法，包含以下步驟：提供第一石墨層；形成過渡金屬氧化層於第一石墨層之第一表面上，獲得第二石墨層；提供第一基材；將鹼金屬鹵化物溶液塗佈於第一基材之第二表面上，獲得第二基材；第二石墨層及第二基材共同形成子疊層，其中子疊層中的第二石墨層以及第二基材之間相對且相隔特定距離；提供複數個子疊層；將各子疊層的第二基材疊置於另一子疊層中的第二石墨層上，形成疊層；將含硫氣體通入疊層中，獲得過渡金屬硫化物薄膜。

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室

可授權技術分類