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 device performance enhancement and fermi level tuning of MoS2 transistors by using post-growdth low-power oxygen plasma treatment |
刊登日期：2018/12/04 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
10147603B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2016/06/29)
中華民國 (2017/01/20)
中國 (2017/01/22)
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| ‧ 發明人 |
林時彥, |
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| 技術摘要： |
於一種製造場效電晶體方法中形成一金屬鉬層(Mo layer)於基板上。金屬鉬層經硫化後轉換成二硫化鉬層(MoS2layer)。二硫化鉬層上形成源電極以及汲電極。二硫化鉬層經過低功率的氧氣電漿處理。形成一閘極介電層於二硫化鉬層上。形成一閘電極於閘極介電層上，而低功率的氧氣電漿處理中電功率的輸入範圍為15瓦至50瓦。
In a method of fabricating a field effect transistor, a Mo layer is formed on the substrate. The Mo layer is sulfurized to convert it into a MoS2layer. Source and drain electrodes are formed on the MoS2layer. The MoS2layer is treated with low-power oxygen plasma. A gate dielectric layer is formed on the MoS2layer. A gate electrode is formed on the gate dielectric layer. An input electric power in the low-power oxygen plasma treatment is in a range from 15 W to 50 W.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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