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 Semiconductor contact structure, semiconductor device, and method for forming the same |
刊登日期：2020/12/15 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
US10868128B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2019/02/01)
中國 (2019/03/25)
中華民國 (2019/04/09)
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| ‧ 發明人 |
綦振瀛, 鄒承翰, 陳仕鴻, |
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| 技術摘要： |
本揭露提供半導體接觸結構、包含半導體接觸結構的半導體裝置及其製造方法。在實施方式中，半導體裝置包含基板上的通道層；通道層上的介面層，其中介面層包含鈦(Ti)且接觸通道層；以及在介面層上的接觸金屬層，其中接觸金屬層包含鋁矽銅合金(AlSiCu)。
Semiconductor contact structures, a semiconductor device including the semiconductor contact structures, and a method for forming the same are disclosed. In an embodiment, a semiconductor device includes a channel layer on a substrate; an interface layer on the channel layer, the interface layer including titanium (Ti), the interface layer contacting the channel layer; and a contact metal layer over the interface layer, the contact metal layer including aluminum silicon copper alloy (AlSiCu).
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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