tunable gap ultra-thin-body transistor based on a topological insulator 刊登日期:2018/10/01
  ‧ 專利名稱 Semiconductor device and method
  ‧ 專利證書號 107039280B
I637429B
11043376
10109477B2
10636651B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2016/05/10)
中華民國 (2016/11/03)
中國 (2016/12/30)
美國 (2018/07/31)
美國 (2020/04/14)
  ‧ 發明人 劉致為,
 
技術摘要:
本發明實施例提供基於一拓樸絕緣體的一種電晶體。在本發明實施例中,使用一拓樸絕緣體形成通道和源/汲極區兩者,其中上述通道具有一第一厚度,使上述拓樸絕緣體具有一半導體材料的性質。並且上述源/汲極區具有一第二厚度,使上述拓樸絕緣體具有一導電材料的性質。



聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心 電話: (02)3366-9949
地 址: 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室