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 Selective growth of antimonene on MoS2 surfaces for device applications |
刊登日期：2020/12/22 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
US10872973B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/12/28)
中國 (2019/03/25)
中華民國 (2019/04/17)
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| ‧ 發明人 |
林時彥, |
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| 技術摘要： |
本揭露描述製造二維材料結構的方法，包含接收一晶圓，晶圓包含基板與基板上之第一二維材料的第一層，藉由圖案化第一層，形成第一二維材料的第一圖案，以及選擇性地在第一圖案上形成第二二維材料的第二層，第二二維材料的第二層實質上覆蓋第一圖案。
The current disclosure describes a method of manufacturing two-dimensional material structures. The method includes receiving a wafer including a substrate and a first layer of a first two-dimensional material over the substrate. By patterning the first layer, a first pattern of the first two-dimensional material is formed. A second layer of a second two-dimensional material is selectively formed over the first pattern, and the second layer of the second two-dimensional material substantially overlaps the first pattern.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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