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成長在二硫化鉬薄膜之單一元素二維材料的元件應用(Elemental 2D Materials Grown on Molybdenum Disulfides for Device Applications )

刊登日期：2021/09/14

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	US11121214B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2019/08/22) 中國 (2020/01/22) 中華民國 (2020/02/04)
‧ 發明人	林時彥, 陳冠超, 陳璿安, 李倫銘,

技術摘要：

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