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 Method of laser annealing in a Gas mixture containing dopants |
刊登日期：2020/12/15 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
US10867809B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/06/01)
中華民國 (2018/10/18)
中國 (2018/11/20)
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| ‧ 發明人 |
劉致為, 魯涒地, 李孟津, 呂芳諒, |
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| 技術摘要： |
形成半導體裝置之方法包括在半導體基板上形成摻雜區域，其中摻雜區域包含雜質，及利用包含摻雜劑氣體之處理氣體對摻雜區域執行雷射退火製程，其中摻雜劑氣體與雜質包含同一化學元素。
A method of forming a semiconductor device includes forming a doped region on a semiconductor substrate, in which the doped region comprises an impurity therein, and performing a laser anneal process to the doped region with a process gas containing a dopant gas, in which the dopant gas and the impurity comprise the same chemical element.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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