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reduction of memory charge loss by MIS tunnel diode with remote sensing mechanism

刊登日期：2020/05/12

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	US10651300B2 US10868158B2 US11502189B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2018/09/26) 中國 (2019/03/13) 中華民國 (2019/04/18) 美國 (2020/04/09) 美國 (2020/12/03)
‧ 發明人	胡振國,

技術摘要：

在一些實施例中，一種半導體元件包括基板、在基板上之電荷儲存元件，及在基板上鄰接電荷儲存元件之穿隧二極體。穿隧二極體包括在基板上之穿隧二極體介電層，及在穿隧二極體介電層上之穿隧二極體電極。基板電極安置於基板之摻雜區域上，且穿隧二極體電極位於電荷儲存元件及基板電極之間。 A device includes a substrate, a charge storage device on the substrate, and tunnel diode on the substrate adjacent to the charge storage device. The tunnel diode includes a tunnel diode dielectric layer on the substrate, and a tunnel diode electrode on the tunnel diode dielectric layer. A substrate electrode is disposed on the doped region of the substrate, and the tunnel diode electrode is positioned between the charge storage device and the substrate electrode.

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