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Anti-fuse array with nanowires formed by self-ending anodization

刊登日期：2018/04/24

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	US10504907B2 US10978461B2 US9953989B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2014/10/30) 美國 (2018/03/29) 美國 (2019/10/17)
‧ 發明人	田維誠, 胡振國,

技術摘要：

聯繫方式

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