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 III-V半導體鐵電異質結構
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刊登日期：2020/03/26 |
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| ‧ 專利名稱 |
III-V半導體鐵電異質結構 |
| ‧ 專利證書號 |
10,847,623
11,502,176
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/12/28)
中國 (2019/07/10)
中華民國 (2019/07/17)
美國 (2020/11/03)
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| ‧ 發明人/PI |
陳敏璋,謝宗霖,林柏廷
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
Techniques in accordance with embodiments described herein are directed to semiconductor devices including a layer of aluminum nitride AlN or aluminum gallium nitride AlGaN as a ferroelectric layer and a method of making a thin film of AlN/AlGaN that possesses ferroelectric properties. In a ferroelectric transistor, a thin film of AlN/AlGaN that exhibits ferroelectric properties is formed between a gate electrode and a second semiconductor layer, e.g., of GaN.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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