光偵測器的製造方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 光偵測器的製造方法
  ‧ 專利證書號 I360232
7906360
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/06/12)
美國 (2007/09/14)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,林楚軒 ,江彥德 ,徐正璋 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明為一種光偵測器的製造方法,包括:(a)提供一鍺板,該鍺板包括一第一加工區域及一第二加工區域;(b)降低缺陷處理至少該第一加工區域及該第二加工區域其中之一;及(c)於該鍺板上形成一光偵測元件。
A manufacturing process for a photo-detector is provided. The present manufacturing process for a photo-detector comprises the steps of: (a) providing a thin-film Ge on a cheap substrate including a first processing area and a second processing area; (b) performing a defect-reduction processing to at least one of the first processing area and the second processing area; and (c) forming a photo-detector element on the Ge.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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