國立臺灣大學-技術交易網

低雜訊疊接放大器

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	低雜訊疊接放大器
‧ 專利證書號	8040188
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2009/04/17) 美國 (2009/06/25)

‧ 發明人/PI	黃柏智,王暉,
‧ 單位	電信工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明有關於一種低雜訊疊接放大器,主要包括有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第一電感及一第二電感,其中第一電晶體透過第一電感而與第二電晶體相連接,第二電晶體則透過第二電感與第三電晶體相連接,並形成一疊接電路,使用在高頻的時候電感會與電晶體所產生的雜散電容產生共振,藉此將可有效降低疊接放大器在高頻時所產生的雜訊。

The present invention relates to a low noise cascode amplifier comprising a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first inductor, and a second inductor. Furthermore, the first transistor can connect with the second transistor via the first inductor, and the second transistor can connect with the third transistor via the second inductor; thereby, a cascode device can be formed. The inductor and the parasitic capacitances can resonate at high frequency, so that the noise figure of the cascode amplifier can be reduced.

聯繫方式 / Contact：

臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU

Email：ordiac@ntu.edu.tw	電話/Tel：02-3366-9945

可授權技術分類