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一種利用通道寫入之非揮發性記憶體

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	利用缺陷所形成的記憶體
‧ 專利證書號	8009479
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2009/08/06) 美國 (2009/11/12)

‧ 發明人/PI	劉致為,陳彥廷,黃靖方,孫宏彰,
‧ 單位	電子工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明係藉由偵測電晶體的累積區電流的大小來判斷其邏輯狀態。一般的薄膜式電晶體(TFT)的製程中,在沉積非晶矽薄膜後,利用雷射熱退火使該非晶矽薄膜形成一複晶矽薄膜,而缺陷則形成於該複晶矽薄膜晶粒的邊界。以p型主動區與n+摻雜的汲極與源極為例,當施加一負電壓於閘極且施加一正電壓於汲極時,該p型主動區內與該汲極交接處使電子從價電帶穿隧至導電帶,而電洞被主動區內的缺陷捕獲,在通道中形成能障,因而使該累積區電流變小,藉此可表示不同的邏輯狀態。本發明之記憶體係在電晶體關閉的狀態讀取該累積區電流,因此比習知記憶體(在導通時讀取)大幅降低功耗。本發明之記憶體為非揮發性記憶體,故不需刷新而能降低功率消耗。

A non-volatile memory is provided. The non-volatile memory comprises at least a silicon-on-insulator transistor including a substrate; an insulating layer disposed on the substrate; an active region disposed on the insulating layer; and an energy barrier device disposed in the active region and outputting a relatively small current when the non-volatile memory is read.

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