發光元件,發光二極體/Light emitting device and light emitting diode
  ‧ 專利名稱 發光元件發光二極體
  ‧ 專利證書號 I382568
  ‧ 專利權人 台灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/06/16)
美國 (2009/08/19)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠,盧彥丞,沈坤慶,蔡富吉,王志洋,林政宏,呂志鋒,陳正言,江衍偉,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種發光元件,包括一發光單元和一表面電漿耦合單元,表面電漿耦合單元包括一金屬結構和一中間層,其中間層連接金屬結構和發光單元,中間層在低頻電流係可導電,且在波長100nm~20000nm之發光範圍內具有介電材料之光學特性。

A light-emitting device is disclosed, including a light-emitting element and a surface plasmon coupling element, having an intermediary layer connected to the light-emitting element and a metal structure on the intermediary layer, wherein the intermediary layer is conductive under low-frequency injection current and has the characteristics as dielectric material in a wavelength range 100 nm˜20000 nm.




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