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高介電係數材料之金氧半架構週邊接光感測器

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	用於光感測器的金氧半導體結構
‧ 公開號	201208099
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2010/08/02)

‧ 發明人/PI	胡振國,鄭任遠,
‧ 單位	電子工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種用於光感測器的金氧半導體結構,包括有半導體層、第一絕緣層、第二絕緣層以及導體電極層,其中導體電極層是金氧半導體結構的閘極;半導體層是用來在金氧半導體結構操作於反轉區時提供電子電洞對;第一絕緣層是設置於導體電極層與半導體層之間;而第二絕緣層則是設置於導體電極層與第一絕緣層之間。藉由在第一絕緣層與導體電極層間添加用金屬氧化物製成的第二絕緣層,使第一絕緣層的電場效應增强,進一步提昇光感測元件的靈敏度。

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