利用氧化鋁鈍化硒化銅鎵銦
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/07/27)
美國 (2010/10/26)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為,許文瑋,程子桓,何偉碩 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種薄膜太陽能電池板的結構及其製造方法,透過在薄膜太陽能電池板中嵌入鈍化層,以便使鈍化層與光吸收層接觸,並且透過鈍化層的表面電場減少光吸收層的表面缺陷密度,用以達成提升光電轉換效率及保護光吸收層之技術功效。

A thin film solar cell structure and the fabricating method thereof are disclosed. A passivation layer is embedded into the thin film solar cell structure to be in contact with an absorbing layer. The interface trap density of the absorbing layer is reduced by the surface electric field of the passivation layer. The invention helps improve the power conversion efficiency and protect the absorbing layer.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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