一種降低信號線跨越溝槽結構之電磁輻射的技術
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 降低電磁輻射的結構與方法以及電性物件與其製造方法
  ‧ 專利證書號 I415560
8542075
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/01/24)
美國 (2011/03/23)
 
  ‧ 發明人/PI 吳宗霖,莊皓翔,
  ‧ 單位 電信工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種降低電磁輻射的方法,包括在多個電性表面其中之一上至少配置第一共振導線,其位於電性表面其中之一的傳輸線結構的一側,並且皆跨越位於另一電性平面的溝槽。其中,溝槽橫跨對應的電性平面。另外,傳輸線結構也會跨越位於另一電性表面的溝槽。接著,將第一共振導線將具有溝槽的電性平面電性連接至另一電性平面,並且調整第一共振導線的長度、寬度或形狀,使得傳輸線結構與溝槽交會點所看到的輸入阻抗幾乎等於0。

A method for reducing EM radiation comprises at least one first resonance line disposed on one of electric surfaces, which is disposed at a side of a transmission line structure on one of the electric surface. The resonance line crosses over a slot of another electric surface. The slot is etched on a corresponding electric surface. In addition, the transmission line structure crosses over the slot of the electric surface. Then, the first resonance line connects the electric surface having the slot with another electric surface. It can adjust at least one of a length, a width and a shape of the first resonance line, to make an input impedance seen from a crossed point between the transmission line structure and the slot approximately 0.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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