發光元件之製作方法
  ‧ 專利名稱 發光元件之製作方法
  ‧ 專利證書號 I412157
8153457
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/09/16)
中華民國 (2010/12/13)
美國 (2011/03/15)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠,林政宏,陳志諺,廖哲浩,謝吉力,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種發光元件之製作方法,包括:提供一第一基板;形成複數個圖案化罩幕層於該第一基板上方或蝕刻該第一基板形成複數個溝槽;以磊晶側向生長(epitaxial lateral overgrowth)方法成長一磊晶層於第一基板上方;形成一發光二極體結構於磊晶層上;形成一第一電極層於發光二極體結構上;將發光二極體結構鍵合到一第二基板;及進行一光輔助電化學蝕刻,將第一基板從磊晶層剝離。




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