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以化學機械研磨製程製作奈米結構光電元件

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	具有微結構的光電元件及其製造方法
‧ 公開號	201240142
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2011/03/22)

‧ 發明人/PI	黃建璋,陳兩儀,黃英原,張鈞翔,
‧ 單位	光電工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種具微結構的光電元件及其製造方法,透過在基板上形成第一半導體層、主動層及第二半導體層,並且蝕刻產生包含第二半導體層、主動層及第一半導體層的多個微結構,以及在微結構表面及第一半導體層上形成絕緣層後,利用化學機械研磨去除微結構頂端的絕緣層,接著將電流散布層覆蓋在微結構頂端以接觸第二半導體層,並於電流散布層上形成第二電極,且蝕刻絕緣層以露出第一半導體層後,再於露出的第一半導體層上形成第一電極,用以達成提升光電元件的穩定性及減少漏電流之技術功效。

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