利用氫離子電漿噴濺處理氧化鉬薄膜增進有機發光二極體元件效能之方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 有機發光二極體及其製作方法
  ‧ 公開號 201301595
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/06/22)
 
  ‧ 發明人/PI 吳志毅,王博昇,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種有機發光二極體及其製作方法。此方法是先於基板上形成第一電極。然後,於第一電極上形成電洞注入層,其中電洞注入層含有氧原子。接著,對電洞注入層進行表面處理,以降低電洞注入層的鄰近表面部分的氧原子含量。而後,於電洞注入層上形成有機發光層。之後,於有機發光層上形成第二電極。
An organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided. A first electrode is formed on a substrate. A hole injecting layer is formed on the first electrode, wherein the hole injecting layer contains oxygen atoms. A surface treatment is performed to the hole injecting layer to reduce the oxygen atom content in a portion of the hole injecting layer adjacent to the surface of the hole injecting layer. An organic light emitting layer is formed on the hole injecting layer. A second electrode is formed on the organic light emitting layer.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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