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 濕式氧化層(二氧化矽層)製作於表面鈍化層與抗反射層應用於太陽能電池之方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
太陽能電池的製作方法 |
| ‧ 公開號 |
201316538
US 2013-0089943 A1
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2011/10/06)
美國 (2012/04/05)
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| ‧ 發明人/PI |
陳彥瑜 ,何偉碩 ,黃昱閎 ,陳彥燁 ,劉致為 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供一種太陽能電池的製作方法，其步驟包括：提供一矽基板，對該矽基板進行摻雜製程，以於該矽基板形成P-N接面結構。接著，於該矽基板上形成一氧化層，以鈍化該矽基板的受光面的缺陷空隙，且該氧化層在AM1.5G太陽光頻譜下具有低反射率。最後，於該矽基板上形成複數個金屬電極。
An embodiment of the present disclosure provides method of manufacturing a solar cell. The method comprises the steps of providing a silicon substrate, forming a P-N junction structure in the silicon substrate, forming an oxide layer for passivating the surface defect of the substrate that has a low reflectivity for AM1.5G solar spectrum, and forming a plurality of metal electrodes on the silicon substrate.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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