濕式氧化層(二氧化矽層)製作於表面鈍化層與抗反射層應用於太陽能電池之方法
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/10/06)
美國 (2012/04/05)
 
  ‧ 發明人/PI 陳彥瑜 ,何偉碩 ,黃昱閎 ,陳彥燁 ,劉致為 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種太陽能電池的製作方法,其步驟包括:提供一矽基板,對該矽基板進行摻雜製程,以於該矽基板形成P-N接面結構。接著,於該矽基板上形成一氧化層,以鈍化該矽基板的受光面的缺陷空隙,且該氧化層在AM1.5G太陽光頻譜下具有低反射率。最後,於該矽基板上形成複數個金屬電極。

An embodiment of the present disclosure provides method of manufacturing a solar cell. The method comprises the steps of providing a silicon substrate, forming a P-N junction structure in the silicon substrate, forming an oxide layer for passivating the surface defect of the substrate that has a low reflectivity for AM1.5G solar spectrum, and forming a plurality of metal electrodes on the silicon substrate.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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