利用水熱法在氮化鎵矽基板上製作氧化鋅薄膜及其應用
  ‧ 專利名稱 於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用
  ‧ 專利證書號 I429795
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/10/31)
美國 (2012/01/04)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,古竣偉,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用,特別是有關一種利用水熱法於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與應用氧化鋅回收基板的方法。

The present invention relates to a method for producing zinc oxide on gallium nitride and application thereof, and particularly relates to a method for producing zinc oxide on gallium nitride by hydrothermal method and a method for recycling substrates by the zinc oxide.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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