於矽基板上利用溫度梯度沈積氮化鋁緩衝層來生長無龜裂之氮化鎵結構
  ‧ 專利名稱 於矽基板上成長氮化物的製作方法
  ‧ 專利證書號 I445055
9281184
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/02/16)
美國 (2012/04/10)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠,陳志諺,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種於矽基板上成長氮化物的製作方法,其包括以下步驟。提供一矽基板。形成一緩衝層於矽基板上,在緩衝層的成膜過程中包括多階段的溫度調變,且各階段的溫度調變包括逐步遞減。形成一氮化物於緩衝層上。

The invention is directed to a method for forming a nitride on a silicon substrate. In the method of the present invention, a silicon substrate is provided and a buffer layer is formed on the silicon substrate. The formation of the buffer layer includes a multi-level temperature modulation process having a plurality temperature levels and a plurality of temperature modulations. For each of the temperature modulations, the temperature is gradually decreased. A nitride is formed on the buffer layer.




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