經由基板上製程程序之功能化奈米顆粒製作技術
  ‧ 專利名稱 奈米顆粒的製造方法
  ‧ 專利證書號 I435843
8753559
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/04/27)
美國 (2012/06/21)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠,曾虹諭,陳維芳,廖哲浩,姚毓峰,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種奈米顆粒的製造方法,其包括以下步驟。提供基板,其中基板的一側有多個柱狀體,且各柱狀體具有側壁。形成多個環狀結構,且各環狀結構之內壁環繞各柱狀體的側壁。移除各柱狀體的一部份,以使各柱狀體的高度下降,並暴露出各環狀結構對應各柱狀體之部分的內壁。使環狀結構完全脫離柱狀體,以形成多個奈米顆粒。

A fabrication method of nanoparticles is provided. A substrate having a plurality of pillar structures is provided and then a plurality of ring structures is formed to surround the plurality of the pillar structures. The inner wall of each ring structure surrounds the sidewall of each pillar structure. A portion of each pillar structure is removed to reduce the height of each pillar structure and to expose the inner wall of each ring structure. The ring structures are separated from the pillar structures to form a plurality of nanoparticles. Surface modifications are applied to the ring structures before the ring structures are separated from the pillar structures on the substrate.




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