在一般基板上經特殊處理後之氧化鋅薄膜透過水熱法來成長筆直之氧化鋅奈米柱
  ‧ 專利名稱 製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用
  ‧ 專利證書號 I458674
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/08/30)
美國 (2013/07/02)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,蘇華隆,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明提供一種製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用,特別是有關一種利用水熱法於一般基板上製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用。

The present invention relates to a method for fabricating well-aligned zinc oxide microrods and nanorods and application thereof and particularly relates to a method for fabricating well-aligned zinc oxide microrods and nanorods on a general substrate by hydrothermal method and application thereof.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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